云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      115

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      24

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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