云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      130

      最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

      30

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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