云开

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    2. 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      20

      通道（dào）极性（xìng）：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      PDFN8*8/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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