云开

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    1. 漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      650

      导通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      250

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      290

      最大漏(lòu)极电(diàn)流Id(on)(A):

      15

      通道极性:

      N沟道

      封装(zhuāng)/温度(℃):

      TO-220F-3L/-55~125

      描述:

      650V,290mΩ,15A,N沟道基于超级结技(jì)术(shù)的功(gōng)率MOSFET


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