云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      900

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      1100

      最（zuì）大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      5

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述：

      700V,1100mΩ,5A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


      云开

      云开