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    2. 漏源（yuán）电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-252-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基（jī）于超（chāo）级（jí）结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET



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