云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      300

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      360

      最大漏（lòu）极电（diàn）流Id(on)(A)：

      11

      通道极性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述：

      650V,360mΩ,5A,N沟道基（jī）于超级结技（jì）术的功率MOSFET



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