云开

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    2. 漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      PDFN5*6/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,7A,N沟道（dào）基于超级结技（jì）术（shù）的功率（lǜ）MOSFET


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