云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      120

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

      25

      通道极（jí）性：

      N沟（gōu）道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET



      云开

      云开