云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      600V，190mΩ，20A，N沟道基（jī）于超级（jí）结技术的功率MOSFET


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